Перегляд за автором "Венгер, Е.Ф."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2012)
    Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией ...
  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
    В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно ...
  • Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, ...
  • Венгер, Е.Ф.; Литвин, П.М.; Матвеева, Л.А.; Митин, В.Ф.; Холевчук, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    Исследована технология конденсации в вакууме тонких нанонеоднородных пленок Ge на полуизолирующие подложки GaAs (100). Использованы методы атомно-силовой микроскопии, оптической спектроскопии, измерения внутренних механических ...
  • Венгер, Е.Ф.; Матвеева, Л.А.; Нелюба, П.Л. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011)
    Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из ...